中金公司4月3日研報指出，隨著下游手機、PC、服務(wù)器等行業(yè)需求的逐步復(fù)蘇以及存儲原廠削減產(chǎn)能逐步落地，從2023年三季度開始部分大類存儲的價格開始觸底反轉(zhuǎn)步入上行通道，相關(guān)國內(nèi)外廠商股價均有所表現(xiàn)。站在當(dāng)前時點依舊看好行業(yè)整體有望維持景氣向上趨勢，同時建議積極關(guān)注各細(xì)分產(chǎn)業(yè)鏈賽道。1）大類存儲受益于HBM供不應(yīng)求，供需格局有望持續(xù)優(yōu)化。2）利基存儲有望跟隨大類存儲步入上行通道。3）服務(wù)器去庫存接近尾聲疊加DDR5滲透率提升利好內(nèi)存接口芯片賽道。

全文如下

中金|智算未來系列四：存儲，算力糧倉新篇章

中金研究

隨著下游手機、PC、服務(wù)器等行業(yè)需求的逐步復(fù)蘇以及存儲原廠削減產(chǎn)能逐步落地，我們看到從3Q23開始部分大類存儲的價格開始觸底反轉(zhuǎn)步入上行通道，相關(guān)國內(nèi)外廠商股價均有所表現(xiàn)。站在當(dāng)前時點我們依舊看好行業(yè)整體有望維持景氣向上趨勢，同時建議積極關(guān)注各細(xì)分產(chǎn)業(yè)鏈賽道。1）大類存儲受益于HBM供不應(yīng)求，供需格局有望持續(xù)優(yōu)化。2）利基存儲有望跟隨大類存儲步入上行通道。3）服務(wù)器去庫存接近尾聲疊加DDR5滲透率提升利好內(nèi)存接口芯片賽道。

摘要

周期復(fù)盤：1）根據(jù)市場規(guī)模變化情況，我們可以看到存儲芯片的波動周期大概是3至4年為一個周期。歷史上周期上行主要驅(qū)動因素有終端銷量爆發(fā)、新技術(shù)投入應(yīng)用、晶圓廠合并/減產(chǎn)/產(chǎn)能不足等因素。周期下行的因素包括產(chǎn)能過剩、國際經(jīng)濟形勢影響及需求疲軟等。2）股價相較于公司的基本面具有一定的領(lǐng)先性，時間在1~2個季度不等。3）利基存儲與大類存儲趨勢同步性較高，從供給和下游需求結(jié)構(gòu)來看有一定的重合度。

存儲芯片：大類存儲供給端產(chǎn)能去化初見成效，需求端景氣度逐漸修復(fù)，價格有望持續(xù)上行。DDR4因產(chǎn)能受HBM及DDR5擠壓形成缺貨，我們預(yù)計DDR4系列產(chǎn)品1Q24景氣持續(xù)；客戶補庫需求推動NAND淡季不淡；HBM系產(chǎn)品及DDR5乘AI算力東風(fēng)，供不應(yīng)求，價格維持高位。利基存儲廠商營收環(huán)比向好，行業(yè)回暖趨勢已較為明朗。

存儲模組：上游存儲芯片價格起漲帶動模組價格同漲，下游服務(wù)器等產(chǎn)品需求修復(fù)抬高供給價格。當(dāng)前存儲芯片價格反彈提升模組廠商備貨意愿+臺、陸模組廠商于3Q23開始戰(zhàn)略性備貨，我們認(rèn)為模組端庫存有望于2024年逐步釋放。

內(nèi)存接口芯片：1）服務(wù)器出貨量增加、AI服務(wù)器出貨占比擴大帶動內(nèi)存接口芯片需求上漲。2）DDR5滲透率提升+子代迭代速度快對配套內(nèi)存接口芯片及套片存在強需求。

HBM：HBM的應(yīng)用緩解了“內(nèi)存墻”的問題。根據(jù)SK海力士估算，HBM的需求在2022至2025年之間的CAGR增速將達(dá)到109%。SK海力士、三星電子、美光科技三大家競爭進入白熱化，各自發(fā)力HBM3E產(chǎn)品。

風(fēng)險

AI應(yīng)用推進不及預(yù)期，各大原廠減產(chǎn)幅度不及預(yù)期。