長鑫存儲申請半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，專利技術能有效提高字線隔離結(jié)構(gòu)的隔離效果，提升半導體結(jié)構(gòu)的性能
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2024年4月5日消息，據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，長鑫存儲技術有限公司申請一項名為“半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法“，公開號CN117835694A，申請日期為2022年9月。
專利摘要顯示，本公開提供一種半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法，該半導體結(jié)構(gòu)包括襯底和多條字線；多條字線均沿第一方向延伸，且沿第二方向間隔設置于襯底上，每相鄰兩條字線之間均設置有字線隔離結(jié)構(gòu)；字線隔離結(jié)構(gòu)至少包括沿第二方向?qū)盈B設置的第一隔離層和第二隔離層，第一隔離層和第二隔離層的材料不同，第一方向和第二方向相互交叉。本公開能夠有效提高字線隔離結(jié)構(gòu)的隔離效果，提升半導體結(jié)構(gòu)的性能。