普及100TBSSD，消息稱三星明年推出第10代NAND：三重堆疊技術，最高430層
時間：
小采
新股
4月28日消息，三星半導體日前宣布量產第九代V-NAND1TbTLC產品，位密度（bitdensity）比上一代產品提高約50%，通過通道孔蝕刻技術（channelholeetching）提高生產效率。
第九代V-NAND采用雙重堆疊技術，在旗艦V8閃存的236層基礎上，再次達到了290層，主要面向大型企業服務器以及人工智能和云設備。
而業內消息稱三星計劃明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術，達到430層，進一步提高NAND的密度，并鞏固和擴大其領先優勢。
市場研究公司Omdia預計，NAND閃存市場在2023年下降37.7%后，預計今年將增長38.1%。為了在快速增長的市場中占據一席之地，三星誓言要大力投資NAND業務。
此前報道，三星高管表示，該公司的目標是到2030年開發超過1000層的NAND芯片，以實現更高的密度和存儲能力。