2024年3月28日消息，據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，長鑫存儲技術有限公司取得一項名為“接觸窗結(jié)構(gòu)、金屬插塞及其形成方法、半導體結(jié)構(gòu)“，授權(quán)公告號CN114256136B，申請日期為2020年9月。

專利摘要顯示，一種接觸窗結(jié)構(gòu)、金屬插塞及其形成方法，所述接觸窗結(jié)構(gòu)的形成方法、半導體結(jié)構(gòu)，在目標層表面上形成環(huán)形墊片，所述環(huán)形墊片中間具有暴露出目標層部分表面的中央通孔；形成覆蓋所述基底、目標層和環(huán)形墊片的介質(zhì)層；刻蝕所述介質(zhì)層，在所述介質(zhì)層中形成與中央通孔連通的刻蝕孔；沿刻蝕孔和中央通孔去除所述環(huán)形墊片，使得中央通孔的尺寸變大，所述刻蝕孔與尺寸變大后的中央通孔構(gòu)成接觸窗結(jié)構(gòu)。通過形成的環(huán)形墊片，在形成接觸窗結(jié)構(gòu)時，通過去除所述環(huán)形墊片時，可以使得中央通孔的尺寸變大，從而使得接觸窗結(jié)構(gòu)底部的尺寸會變大，在接觸窗結(jié)構(gòu)中形成金屬插塞時，使得金屬插塞底部與目標層的接觸面積增大，減小了兩者的接觸電阻。