2024年3月29日消息，據國家知識產權局公告，長鑫存儲技術有限公司申請一項名為“半導體結構和半導體結構的制造方法“，公開號CN117794238A，申請日期為2022年9月。

專利摘要顯示，本公開實施例涉及半導體領域，提供一種半導體結構，半導體結構包括：襯底，所述陣列區的所述襯底內具有晶體管組，所述晶體管組包括在第一方向排列的多層晶體管；所述晶體管包括字線、第二源漏極和兩個第一源漏極，所述字線與所述第二源漏極在第二方向排布，兩個第一源漏極在所述第一方向上排列，并位于所述字線的相對兩側；在所述第一方向上，相鄰兩個所述晶體管共用一個所述第一源漏極；所述外圍區內具有子字線驅動器，所述字線與所述子字線驅動器電連接，所述子字線驅動器不同時為所述第一方向上相鄰兩條所述字線提供開啟信號。本公開實施例至少可以提高半導體結構的性能。